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Materiais fotovoltaicos orgânicos OLED OPV
| Lugar de origem | China |
|---|---|
| Marca | N/A |
| Certificação | COA |
| Número do modelo | OMI115 |
| Documento | TDS of Spiro-TTB.pdf |
| Quantidade de ordem mínima | 1 g |
| Preço | USD60-120/g |
| Detalhes da embalagem | 1 g/ garrafa ou 5 g/ garrafa, 10-100 g/ garrafa |
| Tempo de entrega | 3 dias úteis |
| Termos de pagamento | L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union |
| Habilidade da fonte | 1-100 kg/mês |
Detalhes do produto
| Nome | Spiro-TTB | Nome completo | 2,2',7,7'-tetra ((N,N-di-p-tolyl) amino-9,9-spiribluoreno |
|---|---|---|---|
| Caso não. | 515834-67-0 | Pureza | mínimo 99,0% |
| Aparência | pó amarelo claro | MF | C81H68N4 |
| PM | 1097.43 | HOMO | 5.25 eV |
| Aplicativo | Derivado de espirofluoreno, materiais de camada de transporte, células solares de perovskita, eletrô | ||
| Destacar | Materiais fotovoltaicos orgânicos OLED OPV,Materiais fotovoltaicos orgânicos de cor amarela clara |
||
Descrição de produto
Spiro-TTB CAS 515834-67-0Materiais de camada de transporte de elétrons / buracos, materiais sublimados de alta pureza, materiais, materiais de interface de perovskita, materiais de perovskita, moléculas semicondutoras
Especificação do Spiro-TTB
| CAS | 515834-67-0 |
| Purificação | Min 99,0% |
| MF | C81H68N4 |
| MW | 1097.43 |
| Aparência | Pó amarelo claro |
| Aplicação | Material de camada de transporte por buraco |
Descrição do Spiro-TTB
O Spiro-TTB tem um núcleo de spirofluoreno com quatro ditolilaminas ligadas nas posições 2 e 7 do spirofluoreno.é rico em elétrons e é comumente utilizado como material de camada de transporte de buracos em OLED, OPV e células solares de perovskita.
Em comparação com o Spiro-OMeTAD, o Spiro-TTB é menos rico em elétrons, com quatro grupos metóxilo sendo substituídos por quatro grupos metilo.pode esperar-se um melhor desempenho do dispositivo.
Em comparação com o Spiro-OMeTAD, o Spiro-TTB é menos rico em elétrons, com quatro grupos metóxilo sendo substituídos por quatro grupos metilo.pode esperar-se um melhor desempenho do dispositivo.
Vantagens do Spiro-TTB
1. Alta mobilidade do portador de carga: o Spiro-TTB tem uma mobilidade do portador de carga muito elevada, o que significa que, nos dispositivos eletrónicos, as cargas podem ser transferidas mais rapidamente no material,melhorando assim a eficiência do transporte de elétrons do dispositivo.
2Efeito luminoso notável: O Spiro-TTB apresenta uma elevada eficiência de fluorescência e brilho luminoso, tornando-se um material fluorescente muito eficaz.Isto faz com que o Spiro-TTB seja amplamente utilizado em diodos orgânicos emissores de luz (OLeds) e outros dispositivos.
3. Boa estabilidade térmica: o Spiro-TTB apresenta boa estabilidade térmica e pode manter as suas propriedades eléctricas e ópticas em condições de alta temperatura,que é muito importante para muitos dispositivos eletrônicos.
4Características da lacuna de banda larga: o Spiro-TTB possui uma lacuna de banda fotoelétrica larga, o que lhe permite absorver e emitir diferentes comprimentos de onda de luz.Isto torna o Spiro-TTB adequado para uma ampla gama de aplicações em dispositivos de conversão fotoelétrica, tais como células solares e fotodetectores.
5. Fácil síntese e processamento: O Spiro-TTB tem um método de síntese relativamente simples e pode ser preparado em uma forma de filme fino por tecnologia de processamento de solução.Isto torna o Spiro-TTB fácil de processar e manipular durante a preparação do dispositivo..
Perguntas frequentes
Q1: Qual é o seu tempo de chegada regular para amostra e ordem oficial?
R1: Tempo de entrega de amostras de 5 a 7 dias.
Q2: Qual é o seu MOQ?
R2: O MOQ é geralmente 1g.
Q3: Como você controla a qualidade do produto?
A3: Desde a inspecção das matérias-primas, a inspecção duplo até à inspecção do produto final são executadas de forma rigorosa.
Q4: Qual é a sua política de garantia?
A4: Enviaremos um novo lote se houver algum problema de qualidade durante o período de garantia
Q5: Você reembolsa se o cliente receber produto defeituoso e não aceitar substituição?
A5: Sim
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